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全新晶體管3D成像技術(shù)來(lái)襲

2024/8/7 10:10:02 標(biāo)簽:中國(guó)傳動(dòng)網(wǎng)

8月5日消息,近日瑞士保羅·謝勒研究院的一組科學(xué)家,包括Tomas Aidukas和Mirko Holler,與瑞士蘇黎世聯(lián)邦理工學(xué)院的Gabriel Aeppli和美國(guó)南加州大學(xué)的Tony Levi一起開(kāi)發(fā)出了改進(jìn)的X射線成像技術(shù),被稱之為 ptychographic X 射線層析成像 (PyXL)技術(shù),分辨率高達(dá)4nm,可以在不破壞芯片的前提下,提供芯片內(nèi)部晶體管及布線的清晰的3D圖像,以揭示芯片內(nèi)部的設(shè)計(jì)/制造缺陷。

Levi說(shuō),他們希望提供一種替代方案,以替代用于執(zhí)行芯片質(zhì)量控制和揭示芯片設(shè)計(jì)的耗時(shí)、破壞性的過(guò)程。

使用最先進(jìn)的芯片成像技術(shù),“你真的需要提前知道你在尋找什么,”位于美國(guó)俄勒岡州希爾斯伯勒的英特爾鑄造廠的首席工程師Bao hua Niu說(shuō),他沒(méi)有參與這項(xiàng)研究。他說(shuō),今天的芯片非常復(fù)雜,僅靠電氣測(cè)試無(wú)法確定缺陷的位置。工程師混合使用光學(xué)成像和其他方法來(lái)發(fā)現(xiàn)潛在問(wèn)題區(qū)域。然后,他們用掃描電子顯微鏡對(duì)芯片表面的那部分進(jìn)行成像,最后用透射電子顯微鏡(TEM)取一片芯片進(jìn)行進(jìn)一步成像。當(dāng)他們發(fā)現(xiàn)缺陷時(shí),他們可以返回并糾正他們的設(shè)計(jì)。整個(gè)過(guò)程非常的復(fù)雜,并且耗時(shí)耗力。

而PyXL這種新的成像技術(shù),是使用在稱為同步加速器的粒子加速器上產(chǎn)生的高能X射線。這些光束可以完全穿透芯片,無(wú)需切片?!芭c光學(xué)顯微鏡不同,制作鏡頭非常困難,”Levi談到X射線范圍時(shí)說(shuō)。他的團(tuán)隊(duì)已經(jīng)成功通過(guò)用相干的高能X射線束從不同角度反復(fù)照亮樣品,芯片中的微小特征會(huì)衍射光線。然后,算法根據(jù)衍射 X 射線的強(qiáng)度和相位重建最可能的圖像版本。這種成像通常稱為層析成像。

“你可以看到他們是如何精確地放置金屬層的,有了這個(gè)分辨率,你可以看到晶體管的組裝情況以及它們使用的材料。”Levi說(shuō),這種成像技術(shù)的初始版本PyXL提供了大約19nm的分辨率,足以辨別芯片內(nèi)部的互連,但由于太粗糙,依然無(wú)法對(duì)單個(gè)晶體管的特征進(jìn)行辨別。為了進(jìn)一步提升分辨率,該團(tuán)隊(duì)試圖消除一個(gè)主要的噪聲源,即可能使圖像模糊的微小振動(dòng)。

幸運(yùn)的是,他們找到了解決方案,即連拍圖像,然后使用計(jì)算方法來(lái)分類它們。Levi說(shuō):“我們拍攝多張短時(shí)照片,將它們堆疊在一起,并消除抖動(dòng)以獲得穩(wěn)定的衍射圖案。這使得他們?cè)凇蹲匀弧冯s志上報(bào)道的分辨率達(dá)到 4nm。Levi 認(rèn)為該團(tuán)隊(duì)有一條達(dá)到 1nm 分辨率的途徑。

英特爾的Niu表示,這種X射線計(jì)算機(jī)斷層掃描技術(shù)的分辨率比TEM提供的分辨率還要好4到5倍。但這種權(quán)衡是值得的,因?yàn)樵摷夹g(shù)不需要切割和破壞芯片,并且可以提供更深的3D圖像:工程師可以看到芯片的整個(gè)5μm 深度,而不是在TEM下可見(jiàn)的10到30nm深度。

Niu 在英特爾的團(tuán)隊(duì)實(shí)施了新流程,并致力于提高芯片產(chǎn)量和性能。他說(shuō),新方法應(yīng)該使工程師更容易、更快地找到芯片缺陷。制造過(guò)程并不總能實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)師所追求的功能,成像可以幫助工程師將設(shè)計(jì)與現(xiàn)實(shí)更緊密地結(jié)合在一起。“這就是你的設(shè)計(jì)目的,這是根據(jù)你的設(shè)計(jì)實(shí)際制作的東西,“他說(shuō)?!八o你提供了物理驗(yàn)證?!?/p>

Levi的團(tuán)隊(duì)使用這種方法對(duì)使用臺(tái)積電的7nm 節(jié)點(diǎn)工藝制造的AMD Ryzen 5處理器進(jìn)行了成像。結(jié)果包括其FinFET晶體管的結(jié)構(gòu)和特性的詳細(xì)信息。Levi說(shuō),這些圖像可能非常具有啟發(fā)性?!澳憧梢钥吹剿麄兪侨绾尉_地放置金屬的。有了這個(gè)分辨率,你可以看到晶體管的組裝情況以及它們使用的材料。X射線圖像還可以揭示互連網(wǎng)絡(luò),即連接芯片上晶體管的金屬線。“事物的連接方式告訴你芯片是如何工作的,”他說(shuō)

“你可以弄清楚芯片的設(shè)計(jì)工程和制造到底有多好。你可以看到一個(gè)芯片的質(zhì)量?!癓evi說(shuō)。

Niu說(shuō),隨著晶體管和芯片獲得更多的3D特征,獲得更高分辨率的3D視圖變得越來(lái)越重要。晶體管變得越來(lái)越小,不再是平面的——FinFET 和即將推出的柵極全能晶體管都從表面突出或分層。包括英特爾在內(nèi)的半導(dǎo)體制造商正計(jì)劃在未來(lái)幾代中將芯片的電源互連從芯片的正面移至背面,這增加了額外的復(fù)雜性。

“計(jì)量學(xué)是半導(dǎo)體制造繼續(xù)進(jìn)步的關(guān)鍵,”Niu說(shuō)。PyXL技術(shù)“是一項(xiàng)非常好的研究工作,可以滿足關(guān)鍵需求。因?yàn)槟闳绻麩o(wú)法衡量,你就無(wú)法改進(jìn)?!?/p>


供稿:電子技術(shù)應(yīng)用

本文鏈接:http://www.baqblw.cn/content.aspx?url=rew&id=4708

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