01

全球晶圓廠進(jìn)度概況

去年1月，SEMI國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)公布報(bào)告，全球半導(dǎo)體產(chǎn)能繼2023年以5.5%成長(zhǎng)至每月2,960萬(wàn)片晶圓之后，預(yù)計(jì)2024年將增速成長(zhǎng)6.4%，突破3,000萬(wàn)片大關(guān)。

中國(guó)大陸

2024年中國(guó)大陸計(jì)劃新增的晶圓廠數(shù)量相當(dāng)可觀。受惠于政府資金挹注和其他獎(jiǎng)勵(lì)措施，預(yù)期中國(guó)將擴(kuò)大其在全球半導(dǎo)體產(chǎn)能的占比。中國(guó)芯片制造商預(yù)計(jì)2024年展開(kāi)了18座新晶圓廠，產(chǎn)能年增率從2023年的12%提升至2024年的13%，產(chǎn)能從760萬(wàn)片推升成長(zhǎng)至860萬(wàn)片。

從具體項(xiàng)目來(lái)看，中芯國(guó)際深圳12英寸晶圓廠、華潤(rùn)微(潤(rùn)鵬)12英寸晶圓廠、增芯12英寸晶圓廠等都是2024年新增的晶圓廠項(xiàng)目。此外，還有鼎泰匠芯、昇維旭、鵬芯微、鵬新旭等晶圓廠也在2024年進(jìn)行了建設(shè)或投產(chǎn)。

臺(tái)積電

亞利桑那州：2024 年 4 月，臺(tái)積電同意將在美國(guó)亞利桑那州的投資額增加 250 億美元至 650 億美元，并計(jì)劃于 2030 年在該州建立第三座晶圓廠。美國(guó)商務(wù)部長(zhǎng)雷蒙多于 2025 年 1 月確認(rèn)，臺(tái)積電位于亞利桑那州鳳凰城的晶圓廠一期已經(jīng)開(kāi)始為美國(guó)客戶生產(chǎn) 4 nm芯片。該工廠預(yù)計(jì) 2025 年上半年開(kāi)始大批量生產(chǎn)，第二座晶圓廠則預(yù)定在 2028 年生產(chǎn)最前沿的 2 nm芯片。

日本熊本縣：2024 年 12 月，臺(tái)積電位于日本熊本縣的晶圓廠(熊本一廠)正式按照計(jì)劃開(kāi)始量產(chǎn)，主要生產(chǎn) 12 至 28 nm的成熟制程邏輯芯片，月產(chǎn)能從最初的 4.5 萬(wàn)片提升至 5.5 萬(wàn)片，首批客戶包括索尼集團(tuán)等行業(yè)企業(yè)。熊本二廠計(jì)劃在 2027 年年底投產(chǎn)，更先進(jìn)的 6 nm芯片生產(chǎn)線也將隨之落地。

德國(guó)德累斯頓：2024 年 8 月 ，臺(tái)積電正式為其德國(guó)德累斯頓晶圓廠舉行奠基儀式。該晶圓廠在 2024 年底開(kāi)始建設(shè)，最早于 2027 年第四季度開(kāi)始量產(chǎn)。臺(tái)積電德國(guó)廠將專注于汽車芯片，采用 28nm/22nm CMOS 和 16nm/12nm FinFET 技術(shù)，月產(chǎn)能約 4 萬(wàn)片晶圓，預(yù)計(jì)將創(chuàng)造 2000 個(gè)直接高科技就業(yè)機(jī)會(huì)。

韓國(guó)

“全球最大的半導(dǎo)體園區(qū)”：韓國(guó)國(guó)土交通部于2024年12月26日正式宣布將龍仁半導(dǎo)體集群指定為國(guó)家產(chǎn)業(yè)園區(qū)。三星電子和SK海力士將作為主導(dǎo)廠商參與該產(chǎn)業(yè)園區(qū)的建設(shè)。該產(chǎn)業(yè)園區(qū)占地728萬(wàn)平方米，將擁有多個(gè)大型晶圓廠和3個(gè)發(fā)電廠。三星電子計(jì)劃在龍仁市投資新建6個(gè)晶圓廠，而SK海力士則計(jì)劃新建4座晶圓廠。新的晶圓廠將于2025年3月正式破土動(dòng)工，預(yù)計(jì)將在2027年完工。整個(gè)園區(qū)的建設(shè)工程則預(yù)計(jì)將在2046年全面竣工。然而，根據(jù)計(jì)劃，目標(biāo)是在2030年前實(shí)現(xiàn)第一座晶圓廠順利進(jìn)行首次運(yùn)營(yíng)。

三星

泰勒晶圓廠：三星電子于2021年11月宣布在泰勒市建設(shè)這座新的半導(dǎo)體工廠，預(yù)計(jì)投資高達(dá)170億美元。該工廠是三星電子在美國(guó)的第二座芯片代工廠，也是其在得克薩斯州的第二座芯片代工廠(第一座位于奧斯汀)。三星泰勒晶圓廠計(jì)劃采用先進(jìn)的生產(chǎn)工藝，包括3nm和2nm芯片的生產(chǎn)。其中，2nm芯片的生產(chǎn)線預(yù)計(jì)將在2026年開(kāi)始運(yùn)營(yíng)。三星泰勒晶圓廠已經(jīng)確定了首家客戶，即專注于人工智能芯片和加速器的無(wú)晶圓半導(dǎo)體設(shè)計(jì)廠商Groq。Groq計(jì)劃采用三星泰勒工廠的4nm制程工藝制造下一代的半導(dǎo)體。此外，三星還在積極尋求與其他潛在客戶的合作，以進(jìn)一步拓展其晶圓代工業(yè)務(wù)。

平澤晶圓廠 ：三星已于 2024 年第四季度在平澤 P2 廠建立 10nm 級(jí)的第七代 DRAM 測(cè)試線，預(yù)計(jì) 2025 年第一季度完全建成;P4 工廠的首期產(chǎn)線即將投產(chǎn)，但后續(xù)的二期和四期項(xiàng)目將被推遲。原計(jì)劃在 2024 年下半年動(dòng)工的第二至第四階段的工程全部延后，相關(guān)設(shè)備和基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)包也一并延后。P4 一期產(chǎn)線預(yù)計(jì)將于近期開(kāi)始投產(chǎn)，三期產(chǎn)線目前正在建設(shè)中，預(yù)計(jì)中秋節(jié)后將正式安裝電力等設(shè)備;P5 工廠的建設(shè)將推遲到 2026 年。

華城晶圓廠：三星正加速在韓國(guó)華城的 “S3” 工廠內(nèi)建設(shè)其先進(jìn)的 2nm 生產(chǎn)線，目標(biāo)是在 2025 年第一季度達(dá)成每月 7000 片晶圓的生產(chǎn)能力。

日本

Rapidus ：Rapidus于 2023 年 2 月宣布將在北海道千歲市建造工廠，計(jì)劃建造兩座或以上制造大樓，每座大樓對(duì)應(yīng) 2nm 之后不同的技術(shù)世代。該工廠預(yù)計(jì)在 2025 年 4 月啟動(dòng)先進(jìn)制程原型線，2027 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

瑞薩電子：計(jì)劃重新開(kāi)放其位于甲府的工廠，作為能夠制造IGBT和功率MOSFET的300毫米功率半導(dǎo)體晶圓廠。該工廠一旦實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，將使瑞薩功率半導(dǎo)體的總產(chǎn)能翻一番，以滿足日益增長(zhǎng)的電動(dòng)汽車和可再生能源市場(chǎng)的需求。

新加坡

世界先進(jìn)和恩智浦：2024年6 月 5 日，晶圓代工廠世界先進(jìn)和恩智浦半導(dǎo)體宣布，計(jì)劃在新加坡共同成立一家制造合資公司 VisionPower Semiconductor Manufacturing Company(VSMC)，興建一座 12 英寸晶圓廠。投資金額約為 78 億美元，預(yù)計(jì) 2027 年開(kāi)始量產(chǎn)，并于 2029 年達(dá)到 5.5 萬(wàn)片 12 英寸晶圓的月產(chǎn)能。

聯(lián)電：聯(lián)電新加坡新廠于2024 年中完工，計(jì)劃2025 年初量產(chǎn)，第一期的月產(chǎn)能規(guī)劃為 30,000 片晶圓，將提供 22/28nm 制程，總投資金額為 50 億美元。

美光：美光科技投資 70 億美元的新加坡高帶寬內(nèi)存(HBM)封裝工廠破土動(dòng)工，計(jì)劃于 2026 年開(kāi)始運(yùn)營(yíng)，2027 年先進(jìn)封裝總產(chǎn)能將大幅擴(kuò)張。

世創(chuàng)電子：德國(guó)晶圓制造商世創(chuàng)電子耗資 20 億歐元在新加坡建造的第三座半導(dǎo)體晶圓工廠正式開(kāi)幕，主要生產(chǎn) 12 寸半導(dǎo)體晶圓，預(yù)計(jì)從投產(chǎn)到年底每月可生產(chǎn)約 10 萬(wàn)片晶圓。

馬來(lái)西亞

英飛凌：英飛凌位于馬來(lái)西亞居林的 200mm 碳化硅功率晶圓廠第一階段建設(shè)已圓滿完成，去年8 月正式啟用居林 3 號(hào)晶圓廠模塊，SiC 生產(chǎn)于 2024 年底啟動(dòng)。

歐洲

英飛凌：通過(guò)在德國(guó)德累斯頓建設(shè)新工廠，英飛凌旨在擴(kuò)大產(chǎn)能，提高生產(chǎn)效率，降低成本，從而增強(qiáng)在全球市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。目前已獲得最終建設(shè)許可，正在按計(jì)劃進(jìn)行建設(shè)，包括基坑挖掘和基礎(chǔ)建設(shè)等工作。按計(jì)劃該工廠將于 2026 年開(kāi)始生產(chǎn)，主要用于生產(chǎn)模擬 / 混合信號(hào)和功率類產(chǎn)品，將創(chuàng)造大約 1000 個(gè)高素質(zhì)工作崗位。

ESMC：德國(guó)經(jīng)濟(jì)部當(dāng)?shù)貢r(shí)間 2024 年 12 月 13 日宣布，由德國(guó)政府、臺(tái)積電、博世、英飛凌、恩智浦共同出資的 ESMC 德累斯頓晶圓廠項(xiàng)目融資正式獲批啟動(dòng)。ESMC 德累斯頓晶圓廠整體投資規(guī)模將超 100 億歐元，德國(guó)政府方面資助約占半數(shù)的 50 億歐元，臺(tái)積電出資約 35%，博世、英飛凌和恩智浦半導(dǎo)體各出資約 5%。該工廠將在 300mm 的硅晶圓上生產(chǎn) 28nm-12nm 成熟制程的車用、工業(yè)半導(dǎo)體產(chǎn)品，滿載時(shí)月產(chǎn)能將達(dá)約 4.17 萬(wàn)片晶圓。

Wolfspeed：Wolfspeed原計(jì)劃在德國(guó)薩爾州建造一座全球最大的8英寸碳化硅晶圓工廠，該工廠將采用創(chuàng)新性制造工藝來(lái)生產(chǎn)下一代碳化硅器件。但Wolfspeed在去年6月宣布推遲了在德國(guó)薩爾州建設(shè)價(jià)值30億美元工廠的計(jì)劃。

英特爾：英特爾馬格德堡晶圓廠的建設(shè)進(jìn)度多次推遲。最初計(jì)劃于2023年上半年啟動(dòng)，但隨后因補(bǔ)貼問(wèn)題、施工現(xiàn)場(chǎng)遺跡清理、黑土保護(hù)等挑戰(zhàn)，推遲至2024年夏天。然而，到了2024年，該項(xiàng)目又因歐盟補(bǔ)貼緩慢等原因，再次推遲至2025年5月動(dòng)工。

美國(guó)

英特爾：由于市場(chǎng)挑戰(zhàn)以及政府撥款緩慢等原因，英特爾在 2024 年 3 月 1 日提交給俄亥俄州政府官員的一份報(bào)告中顯示，他們?cè)诙砗ザ碇莸膬勺A廠生產(chǎn)將比原計(jì)劃至少晚兩年，要到 2027 年或 2028 年才能投入運(yùn)營(yíng)。

從產(chǎn)業(yè)發(fā)展角度而言，2024 年全球晶圓廠的這些動(dòng)態(tài)意味著半導(dǎo)體行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局愈發(fā)復(fù)雜多元。一方面，傳統(tǒng)芯片制造巨頭如臺(tái)積電、三星等加速全球布局，在不同地域憑借技術(shù)、資金與品牌優(yōu)勢(shì)搶占市場(chǎng)高地;另一方面，新興區(qū)域如中國(guó)、新加坡等地的晶圓廠蓬勃興起，借助政策扶持與本土市場(chǎng)潛力，不斷縮小與行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的差距，給全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈帶來(lái)新的變數(shù)。

另一方面，數(shù)以百億計(jì)的投資涌入各地，創(chuàng)造了海量直接與間接就業(yè)崗位。從建筑工人搭建廠房，到設(shè)備工程師調(diào)試高精尖機(jī)器，再到研發(fā)人員探索前沿技術(shù)，產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)人才需求大增。同時(shí)，帶動(dòng)了當(dāng)?shù)嘏涮桩a(chǎn)業(yè)如化工、精密機(jī)械、軟件研發(fā)等協(xié)同發(fā)展，為區(qū)域經(jīng)濟(jì)注入強(qiáng)勁動(dòng)力。以德國(guó)德累斯頓為例，臺(tái)積電與英飛凌等企業(yè)的項(xiàng)目落地，不僅讓這座城市成為歐洲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新地標(biāo)，更輻射周邊地區(qū)，形成產(chǎn)業(yè)集群效應(yīng)。

02

2025年

根據(jù) SEMI 最新的全球晶圓廠預(yù)測(cè)季度報(bào)告，半導(dǎo)體行業(yè)預(yù)計(jì)將在 2025 年啟動(dòng) 18 個(gè)新晶圓廠建設(shè)項(xiàng)目 。新項(xiàng)目包括三座 200 mm和十五座 300 mm設(shè)施，其中大部分預(yù)計(jì)將于 2026 年至 2027 年開(kāi)始運(yùn)營(yíng)。

根據(jù)預(yù)測(cè)，中國(guó)芯片制造商預(yù)計(jì)于 2024 年推進(jìn) 18 座新晶圓廠的建設(shè)，產(chǎn)能年增長(zhǎng)率將從 2023 年的 12% 躍升至 13%，相應(yīng)地，產(chǎn)能規(guī)模也會(huì)由 760 萬(wàn)片攀升至 860 萬(wàn)片。

中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)在全球半導(dǎo)體產(chǎn)能排名中仍穩(wěn)居第二。其產(chǎn)能年增長(zhǎng)率在 2023 年為 5.6%，2024 年預(yù)計(jì)為 4.2%，每月產(chǎn)能處于穩(wěn)步上升態(tài)勢(shì)，將從 540 萬(wàn)片增長(zhǎng)至 570 萬(wàn)片，并且自 2024 年起預(yù)計(jì)會(huì)有 5 座新晶圓廠正式投產(chǎn)運(yùn)營(yíng)。

全球半導(dǎo)體產(chǎn)能排名第三的韓國(guó)，預(yù)計(jì) 2024 年僅有 1 座新晶圓廠投入生產(chǎn)，產(chǎn)能將在 2023 年 490 萬(wàn)片的基礎(chǔ)上增長(zhǎng) 5.4%，達(dá)到 2024 年的 510 萬(wàn)片。

日本作為全球半導(dǎo)體產(chǎn)能第四的國(guó)家，預(yù)計(jì) 2024 年將有 4 座新晶圓廠開(kāi)啟投產(chǎn)進(jìn)程，產(chǎn)能從 2023 年的 460 萬(wàn)片增長(zhǎng)至 2024 年的 470 萬(wàn)片，年增長(zhǎng)率約 2%。

從區(qū)域維度來(lái)看，美洲地區(qū)在 2024 年將見(jiàn)證 6 座新晶圓廠的投產(chǎn)，這將推動(dòng)該地區(qū)晶圓產(chǎn)能年增長(zhǎng)率達(dá)到 6%，產(chǎn)能規(guī)模提升至 310 萬(wàn)片。歐洲和中東地區(qū)同樣不甘示弱，2024 年計(jì)劃有 4 座新晶圓廠投產(chǎn)，預(yù)計(jì)產(chǎn)能將借此提升 3.6%，達(dá)到 270 萬(wàn)片。東南亞地區(qū)在 2024 年也將發(fā)力，有 4 座新晶圓廠上馬，產(chǎn)能有望增加 4%，升至 170 萬(wàn)片。

03

結(jié)語(yǔ)

隨著新晶圓廠逐步落地運(yùn)營(yíng)，更先進(jìn)的制程工藝將加速迭代，對(duì)芯片性能、功耗、可靠性等關(guān)鍵指標(biāo)的提升至關(guān)重要。例如，200mm 和 300mm 晶圓廠設(shè)施的建設(shè)，將適配不同芯片產(chǎn)品需求，促使半導(dǎo)體產(chǎn)品多元化發(fā)展，進(jìn)一步滲透至人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車等前沿領(lǐng)域。

去年全球晶圓廠呈現(xiàn)出多元發(fā)展態(tài)勢(shì)。不同國(guó)家和地區(qū)的晶圓廠項(xiàng)目各有進(jìn)展，產(chǎn)能或逐步提升，或處于規(guī)劃建設(shè)階段。從臺(tái)積電、三星等行業(yè)巨頭到新興區(qū)域的廠商，都在技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)能擴(kuò)充、市場(chǎng)布局上發(fā)力。2025 年半導(dǎo)體行業(yè)新廠建設(shè)已有預(yù)期，后續(xù)需關(guān)注這些項(xiàng)目能否按時(shí)推進(jìn)、技術(shù)突破能否落地以及產(chǎn)能釋放對(duì)市場(chǎng)供需的影響，進(jìn)而推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及相關(guān)經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域持續(xù)穩(wěn)定發(fā)展。